SK hynix opracowuje układy 16‑GB LPDDR6 o przepustowości 10,7 Gb/s dla flagowych urządzeń nowej generacji

SK hynix pokazuje pierwszy 16‑Gb LPDDR6 w procesie technologii 10‑nm „1c”

Krótko o pamięci 16‑gigabitowej LPDDR6 (1c) – pierwszym w branży produkcie stworzonym na 10‑nm szóstej generacji. Data demonstracji CES 2026: firma po raz pierwszy zaprezentowała gotowy chip i zakończyła pierwsze testy przemysłowe. Grupa docelowa: smartfony i tablety z „AI‑on‑device” (przetwarzanie sztucznej inteligencji bezpośrednio na urządzeniu).

Kluczowe wskaźniki techniczne
Wskaźnik | Wartość | Porównanie
---|---|---
Prędkość transmisji | > 10,7 Gb/s (bazowa) | +33 % w porównaniu z LPDDR5X
Efektywność energetyczna | 20 % lepsza | Dzięki strukturze subkanałów i DVFS

- Subkanały pozwalają aktywować tylko potrzebne ścieżki transmisji danych, oszczędzając energię.
- DVFS (Dynamic Voltage & Frequency Scaling) dynamicznie reguluje napięcie i częstotliwość w zależności od obciążenia.

Jak to zmienia doświadczenie użytkownika
Obciążenie | Zachowanie pamięci | Efekt
---|---|---
Wysokie (gry, aplikacje AI) | Zwiększa przepustowość, podnosi wydajność. |
Niskie (teksty, media społecznościowe) | Obniża częstotliwość i napięcie, oszczędza baterię. |

Oczekuje się poprawy autonomicznej pracy i wielozadaniowości urządzeń mobilnych.

Plan wdrożenia
- Przygotowanie do produkcji seryjnej – pierwsza połowa 2026 r.
- Pierwsze dostawy – druga połowa 2026 r.

SK hynix twierdzi, że nowy LPDDR6 rozszerzy linię DRAM dla urządzeń mobilnych skoncentrowanych na sztucznej inteligencji, wspierając rosnącą tendencję wprowadzania obliczeń AI bezpośrednio do telefonów i tabletów.