Samsung kończy produkcję 2‑D NAND i przenosi fabryki na produkcję HBM4.

Samsung kończy produkcję pamięci 2‑D NAND‑flash i przekierowuje fabryki na HBM4

W tym roku Samsung ogłosiła całkowite zrezygnowanie z produkcji pamięci flash 2‑D NAND. Pozostałe linie zostaną skierowane do produkcji pamięci HBM4, która obecnie cieszy się ogromnym popytem ze względu na szybki wzrost AI.

Co dzieje się w fabryce Hwason
Według *The Elec Korea* Samsung planuje zamknięcie produkcji 2‑D NAND w swoim zakładzie w Hwason. Zamiast całkowitego wycofania linii z eksploatacji, firma przekształci ją na metalizację DRAM – proces nakładania ścieżek łączących komórki pamięci wewnątrz układu.

- Moc linii 12: od 80 000 do 100 000 płyt 12‑calowych miesięcznie.

- Te płyty były wcześniej używane wyłącznie do 2‑D NAND‑flash, ale technologia już się przestarzała po pojawieniu się 3‑D NAND.

Teraz na tej linii będzie produkowany DRAM szóstej generacji (10 nm), wykorzystywany w HBM4. Samsung prognozuje, że całkowita miesięczna pojemność produkcji DRAM – włączając linie 3 i 4 w Pyeontce – osiągnie około 200 000 płyt do końca drugiego półrocza.

Dlaczego 2‑D NAND odchodzi
Pamięć 2‑D NAND pojawiła się po raz pierwszy pod koniec lat 90. W ciągu ostatnich lat producenci stopniowo z niej rezygnowali, przechodząc na bardziej zaawansowaną 3‑D NAND. Technologia 3‑D NAND ma znaczące zalety: większą pojemność, lepszą niezawodność i znacznie wyższe parametry prędkości.

Zgodnie z planem Samsunga ostateczne zakończenie produkcji 2‑D NAND jest zaplanowane na marzec. Po tym fabryka w pełni przejdzie do produkcji nowszych rozwiązań – w tym HBM4, które są pożądane w wysokowydajnych systemach obliczeniowych i aplikacjach AI.