Intel w współpracy z SoftBank planuje uruchomić zastępczą pamięć HBM już do roku 2029

SoftBank i Intel planują wprowadzić na rynek nową pamięć Z‑Angle Memory (ZAM) do 2029 roku

Jak zostanie zrealizowane
Odpowiedzialne firmy: SoftBank – poprzez spółkę zależną Saimemory, która zajmie się opracowaniem i sprzedażą. Intel dostarczy technologie produkcji i pakowania. Udział innych graczy: Fujitsu z Japonii uczestniczy w projekcie.

Dlaczego potrzebna jest Z‑Angle Memory
* Problemy istniejącej HBM:
- Bardzo drogie i energochłonne.
- Przy wzroście wolumenów produkcji klasyczny DRAM cierpi na brak zasobów.
* Cel Z‑AM – zaoferować bardziej ekonomiczną, energooszczędną alternatywę, zachowując przy tym wysoką gęstość danych.

Właściwości techniczne
Parametr | Opis
---|---
Struktura | Stos kilku warstw układów scalonych (podobny do HBM), ale z bardziej zaawansowanymi metodami pakowania i architekturą.
Gęstość | Jednostkowa pojemność stosu o 2‑3 razy wyższa niż w HBM.
Zużycie energii | Zredukowane prawie dwukrotnie w porównaniu do HBM.
Koszt produkcji | Oczekuje się utrzymania bieżącego poziomu cen lub obniżki do 40 %.

Technologia pakowania
* Intel proponuje technologię NGDB (Next‑Generation Die Bonding), która zwiększa efektywność energetyczną pamięci ZAM w porównaniu z HBM.
* W prototypach już zaimplementowano osiem warstw DRAM na bazowym kryształku.

Plan uruchomienia
1. Pośrednie prototypy – demonstracja do końca marca 2028 roku.
2. Produkcja masowa – rozpoczęcie w ciągu kolejnych 12 miesięcy po prezentacji, czyli około połowy 2029 roku.

W ten sposób SoftBank i Intel zamierzają szybko skalować produkcję Z‑Angle Memory, zapewniając bardziej dostępny i energooszczędny wariant pamięci dla przyszłych systemów wysokowydajnych.