Chiny planują zwiększyć udział krajowej produkcji mikrochipów do 70 % w przyszłym roku.

Chińska gospodarka wzmacnia własny przemysł półprzewodników

Od początku lat 2020 chińskie fabryki produkcji układów scalonych nie mogą korzystać z najnowocześniejszego sprzętu zagranicznego. Mimo to rząd kraju aktywnie wspiera rozwój sektora krajowego, wyznaczając konkretne cele dotyczące zastępowania importu.

* Cele lokalizacji

- W najbliższym roku udział chińskiego sprzętu w produkcji „dojrzałych” technologii (czyli tych już na etapie masowej produkcji) ma osiągnąć 70 %.

- Już teraz nowe fabryki muszą być wyposażone co najmniej w 50 % sprzętu krajowego; im wyższa lokalizacja, tym większe dofinansowanie projektu.

* Postęp technologiczny

- Chińskie firmy planują przejść na produkcję chipów o kanale 14 nm, korzystając z własnego sprzętu.

- W branży litograficznej obserwuje się znaczny wzrost aktywności firm krajowych:

* SMEE rozpoczyna weryfikację sprzętu ekspozycyjnego na bazie laserów o długości fali 28 nm (z wykorzystaniem fluoridu argonu).

* Naura Technology przystąpiła do masowej produkcji systemów etchingu dla chipów 28‑nm.

* AMEC pracuje nad certyfikacją swojego sprzętu do produkcji układów 14‑nm na obiektach SMIC.

* Skany EUV i przyszłe plany

- Pod koniec ubiegłego roku w Chinach zbudowano prototyp skanera litograficznego klasy EUV, wykorzystującego komponenty pochodzące od dawnych holenderskich skanerów ASML.

- Produkcja chipów przy użyciu takiej technologii planowana jest na rok 2028, choć bardziej realistyczny termin to koniec dekady.

- Walidacja chińskiego sprzętu często przebiega szybciej niż w przypadku zachodnich odpowiedników; czasem wszystko kończy się w ciągu jednego roku.

* Oprogramowanie

- Poza sprzętem, Chiny aktywnie zastępują zagraniczne pakiety CAD/EDA własnymi rozwiązaniami, które stają się nieodzowną częścią łańcucha produkcyjnego.

W ten sposób rząd ustawia przed branżą konkretne liczby dotyczące lokalizacji i jednocześnie tworzy warunki do szybkiego wdrażania nowych technologii, w tym skanerów EUV i litografii 14‑nm.