Samsung zaprezentowała na Computex 2026 prototyp pamięci HBM5 Stack

Samsung Electronics — pierwsze kroki w kierunku HBM5

Niedawno Samsung Electronics ogłosiła rozpoczęcie dostaw próbek pamięci HBM4E, ale jednocześnie aktywnie rozwija kolejną generację – HBM5. Na wystawie Computex 2025 firma zaprezentowała tylko duży model chipu HBM5, aby dać ogólne pojęcie o jego strukturze. Już teraz widać, że technologia będzie skomplikowana i wymagająca.

Kluczowe szczegóły rozwoju
ParametrCo robi SamsungPodstawowy krystalSamodzielna produkcja na procesie 2‑nmLiczba warstw DRAMOd 12 do 20 (klasa technologii 1c)Transystory GAAPlanowane do wykorzystania w chipach 2‑nmProces poniżej 1 nmFirma jest przekonana, że będzie w stanie go opanować w przyszłości
Dyrektor techniczny działu Samsung Electronics Son Chee Hyeok (Song Jaehyuk) potwierdził udział firmy w opracowywaniu i wdrażaniu tych technologii. Obecność podziału kontraktowego pozwala spełniać wymagania najbardziej rygorystycznych klientów, w tym Nvidia.

Porównanie z HBM4E
* HBM4E wykorzystuje krystal bazowy 4‑nm oraz proces technologiczny 1c do produkcji chipów DRAM tworzących warstwę pamięci.

* HBM5 zaproponuje:

* Tanszy krystal (2 nm) i bardziej elastyczną liczbę warstw (12–20).

* Heat Path Block (HPB) – kanał odprowadzający ciepło dla efektywnego chłodzenia.

* Zwiększoną szybkość wymiany danych dzięki ulepszonej architekturze.

Technologia HPB jest już przetestowana na przykładzie HBM4E, a Samsung planuje wykorzystanie zaawansowanych metod odprowadzania ciepła w celu zwiększenia stabilności pamięci. Masowa produkcja HBM5 zaplanowana jest od 2028 roku, a w ramach HBM5E krystal DRAM będzie produkowany przy bardziej zaawansowanym procesie technologicznego 1d.

Co robią konkurenci
* SK hynix używa podobnej technologii chłodzenia – iHBM. Oznacza to, że rozwiązanie Samsunga nie jest unikalne pod względem odprowadzania ciepła.

* SK hynix również wdraża chipy 2‑nm w składzie HBM5 i planuje masową produkcję z wykorzystaniem iHBM.

Wnioski
Samsung Electronics już rozwija HBM5 na bazie procesu technologicznego 2‑nm, przewidując do 20 warstw DRAM oraz innowacyjny kanał odprowadzający ciepło HPB. Masowy wydawanie zaplanowane jest na 2028 rok, a konkurenci, tacy jak SK hynix, stosują podobne rozwiązania (iHBM). Ogólnie rzecz biorąc, Samsung wykazuje pewność w opanowaniu technologii poniżej 1 nm i gotowość do spełniania wymagań największych klientów.