Samsung i SK Hynix zainwestowali prawie miliard dolarów w rozwój produkcji pamięci w Chinach w zeszłym roku

Jak południowokoreańskie giganci pamięci utrzymują dostęp do amerykańskiego sprzętu i rozwijają produkcję w Chinach

Podczas prezydentury Joe Bidena rządy USA próbowały ograniczyć możliwość rozszerzania fabryk przez południowokoreańskich producentów w Chinach. Te zakłady są kluczowe dla dostaw układów pamięciowych na światowy rynek. Mimo to Samsung i SK Hynix udało się zachować dostęp do amerykańskiego sprzętu, jednocześnie inwestując w modernizację swoich chińskich przedsiębiorstw.

1. Samsung Electronics
Wskaźnik Dane Inwestycje w Sian (2023) $344 mln Wzrost w stosunku do 2022 r. +67,5 % Rola zakładu Jedyny zagraniczny obiekt Samsunga dla pamięci NAND; zapewnia do 40 % światowego wolumenu produkcji Historia inwestycji Po zainwestowaniu $464 mln w 2019 roku firma nie realizowała dużych finansowań przez cztery lata. W 2024 roku przeznaczono $184 mln, a w poprzednim roku kwota została podwojona.
W ten sposób Sian stał się strategicznym centrum dla Samsunga, zwłaszcza biorąc pod uwagę wzrost popytu na pamięć w erze sztucznej inteligencji.

2. SK Hynix
Wskaźnik Dane Ogólne inwestycje w Chinach (2023) ponad $663 mln Zakłady – fabryka DRAM w Wusi; 3D‑NAND‑fabryka w Dalanie, zakupiona od Intela w 2022 r. Inwestycje w Wusi (2023) podwojone do $190 mln Inwestycje w Dalain (2023) $293 mln (1,5‑krotność 2024‑go roku) Wartość ekonomiczna ≈ 1 bilion południowokoreańskich wón – znacząca kwota dla firmy
SK Hynix aktywnie rozszerza produkcję DRAM i 3D‑NAND, aby zaspokoić rosnący popyt na pamięć od AI i usług chmurowych.

3. Plany technologiczne
Firma Planowany produkt Gdzie będzie produkowany Samsung 236‑warstwowa 3D‑NAND (przejście z 128‑warstwowej) Chiny Samsung 400‑warstwowa 3D‑NAND Korea Południowa SK Hynix Przeniesienie fabryki DRAM w Wusi na czwarte pokolenie 10‑nm (1a) Wusi, Chiny
- Samsung zamierza uruchomić bardziej zaawansowaną pamięć 236‑warstwową w Chinach, co pozwoli jej pozostać konkurencyjną pomimo ograniczeń rozwoju technologicznego kraju.
- SK Hynix planuje zaktualizować proces DRAM‑fabryki w Wusi do 10‑nm (1a), co zapewni efektywną produkcję DDR5. Zakład już odpowiada za ponad 30 % światowego wolumenu DRAM firmy.

Wnioski
Mimo wysiłków USA ograniczyć dostęp południowokoreańskich producentów do amerykańskiego sprzętu, Samsung i SK Hynix kontynuują inwestowanie setek milionów dolarów w Chiny. Pozwala im to zachować konkurencyjność, rozszerzać produkcję pamięci NAND i DRAM oraz przygotowywać się na przyszły wzrost popytu, zwłaszcza w dziedzinie sztucznej inteligencji.