Intel przedstawiła technologię 18A‑P: szybsza, bardziej energooszczędna i z ulepszonym chłodzeniem

Intel wzmacnia linię układów 18 A i przygotowuje nową wersję – 18 A‑P

Firma Intel kontynuuje masową produkcję mikroczipów opartych na procesie technologii 18 A (1,8 nm). Jednocześnie pracuje nad ulepszoną wersją tego procesu – 18 A‑P, która ma pojawić się na rynku w najbliższych kwartałach.

Co nowego w 18 A‑P?
Parametr | Opis
---|---
Transystory | Wprowadzono dwa nowe typy RibbonFET z otoczoną bramką. Pozwalają one podnosić częstotliwości kluczowych bloków i jednocześnie obniżać zużycie energii w mniej wymagających obszarach.
Kontrola wariancji | Ulepszono zarządzanie rozrzutem parametrów kryształków: odchylenie „szybkich” od „wolnych” zmniejszyło się, a dyspersja wokół środka – oprócz płytki – została zredukowana.
Próg napięcia | Dodano więcej wariantów progowego napięcia (od 4 do ponad 5 par), co podnosi precyzję sortowania kryształków i zwiększa udział produktów spełniających specyfikacje.
Odprowadzanie ciepła | Przewodność cieplna poprawiona o ~50 %. Umożliwia to kompensację wyższej gęstości mocy transystorów z otoczoną bramką i zmniejsza degradację przy długotrwałym nagrzewaniu.
Zużycie energii / wydajność | W porównaniu do bazowego 18 A układy mogą albo zwiększyć efektywność o 9 % przy tej samej mocy, albo zredukować zużywaną moc o 18 %, zachowując wcześniejszą wydajność i złożoność.

Jak to wygląda w praktyce
- Zachowane parametry geometryczne: krok bramki (50 nm) i wysokości komórek (180 nm / 160 nm) pozostają takie same, co pozwala przenieść istniejące projekty z 18 A na 18 A‑P bez radykalnych zmian. Jednak aby osiągnąć maksymalną efektywność nadal wymagana jest dodatkowa optymalizacja architektury.
- Optymalizacja linii metalowych: zmieniono opór i pojemność metali, co wpływa na prędkość sygnału, zużycie energii i opóźnienia (konkretne liczby nie zostały jeszcze ujawnione).
- Ulepszenia w niezawodności: bardziej stabilne minimalne napięcie robocze Vmin dla logiki i SRAM podnosi jakość pracy przy niskich prądach.

Dlaczego to ważne
1. Dla urządzeń konsumenckich – zwiększenie wydajności bez wzrostu emisji ciepła sprawia, że układy są bardziej atrakcyjne dla smartfonów, laptopów i innych przenośnych gadżetów.
2. Dla serwerów i centrów danych – ulepszona odprowadzanie ciepła i odporność na wysokie napięcia podnoszą niezawodność przy długotrwałej pracy pod obciążeniem.
3. Efekt ekonomiczny – wzrost udziału wysokiej jakości krzemowego z jednej płyty prowadzi do zwiększenia wydajności produkcji, co obniża koszt jednostkowy układów.

Wniosek
Intel kontynuuje rozwój swojego procesu 18 A, jednocześnie przygotowując bardziej zaawansowaną wersję 18 A‑P. Nowe transystory RibbonFET, wzmocniona kontrola jakości i ulepszone właściwości cieplne obiecują znaczny wzrost efektywności i niezawodności, co czyni tę technologię atrakcyjną zarówno dla rynków konsumenckich, jak i profesjonalnych.